| 摘要 |
本发明系一种半导体装置及其制造方法,其中,为了使具有半导体晶片(1)则藉由接合构件(2a,2b)而电性连接于导电构件(3a,3b)之安装构造之半导体装置的热阻抗之降低与热变形吸收性之提升并存,接合构件(2a,2b)系具有层积构造,该层积构造具备从接近于半导体晶片(1)侧依序具有以具有奈米级尺寸之复数之弹簧加以构成之奈米弹簧层(4),和支持前述复数之弹簧之平面层(5),和接合层(6)之层积构造,而奈米弹簧层(4)之厚度系较接合层(6)之厚度为大,接合层(6)之厚度系较平面层(5)之厚度为大者。 |
