发明名称 图案形成方法及光阻组成物;PATTERNING PROCESS AND RESIST COMPOSITION
摘要 本发明提供一种负型图案形成方法,系将光阻组成物涂布于基板,进行加热处理以制成光阻膜,对于光阻膜以高能射线曝光,施以加热处理后,以含有有机溶剂之显影液使光阻膜之未曝光部分予以选择性地溶解;该光阻组成物含有:具酸不稳定基且因酸作用使极性改变之高分子化合物[A]、式(1)之光酸产生剂[B]、及有机溶剂[C];R1-COOC(CF3)2-CH2SO3- R2R3R4S+ (1) (R1为1价烃基、R2、R3及R4为烷基、烯基、侧氧基烷基、芳基、芳烷基或芳基侧氧基烷基,或R2、R3及R4中的任2个以上也可彼此键结并与式中之硫原子一起形成环)。依照本发明,能减小微细之沟图案之边缘粗糙度,且能抑制逆推拔形状并减轻图案倒塌。
申请公布号 TW201441761 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW103107070 申请日期 2014.03.03
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 小林知洋;片山和弘;熊木健太郎;林传文;大桥正树;福岛将大
分类号 G03F7/004(2006.01);C08F20/26(2006.01);C08F20/18(2006.01);C08K5/42(2006.01);G03F7/038(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/004(2006.01)
代理机构 代理人 <name>周良谋</name><name>周良吉</name>
主权项
地址 日本