发明名称 外延结构体的制备方法
摘要 本发明涉及一种外延结构体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一支援外延生长的外延生长面;在所述外延生长面生长一第一外延层;在所述第一外延层远离基底的表面设置一石墨烯层,所述石墨烯层具有复数空隙;以及在所述设置有石墨烯层的第一外延层表面生长一第二外延层。
申请公布号 TWI459589 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW101115892 申请日期 2012.05.04
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 魏洋;范守善
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 一种外延结构体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一支援外延生长的外延生长面;在所述外延生长面生长一第一外延层;在所述第一外延层远离基底的表面设置一石墨烯层,所述石墨烯层具有复数空隙;以及在所述设置有石墨烯层的第一外延层表面生长一第二外延层。
地址 新北市土城区自由街2号