发明名称 |
具有绝缘体下之互连件之绝缘体上半导体积体电路;SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR INTEGRATED CIRCUIT WITH INTERCONNECT BELOW THE INSULATOR |
摘要 |
本发明描述一种制造在一绝缘体上半导体转移层上之积体电路。该积体电路包含制造在该绝缘体之背侧上之一互连层。此互连层透过该绝缘体中蚀刻之孔将主动装置彼此连接。此结构提供额外布局灵活性及较低电容,因此实现较高速度及较低成本之积体电路。 |
申请公布号 |
TW201442174 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW103110496 |
申请日期 |
2014.03.20 |
申请人 |
IO半导体股份有限公司 |
发明人 |
斯图柏 麦可A;摩林 斯图尔特B;布林德 克里斯 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |