发明名称 具有绝缘体下之互连件之绝缘体上半导体积体电路;SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR INTEGRATED CIRCUIT WITH INTERCONNECT BELOW THE INSULATOR
摘要 本发明描述一种制造在一绝缘体上半导体转移层上之积体电路。该积体电路包含制造在该绝缘体之背侧上之一互连层。此互连层透过该绝缘体中蚀刻之孔将主动装置彼此连接。此结构提供额外布局灵活性及较低电容,因此实现较高速度及较低成本之积体电路。
申请公布号 TW201442174 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW103110496 申请日期 2014.03.20
申请人 IO半导体股份有限公司 发明人 斯图柏 麦可A;摩林 斯图尔特B;布林德 克里斯
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 <name>恽轶群</name><name>陈文郎</name>
主权项
地址 美国