交叉点二极体阵列及其制造方法;CROSS-POINT DIODE ARRAYS AND METHODS OF MANUFACTURING CROSS-POINT DIODE ARRAYS

摘要

本发明揭示形成一记忆体单元阵列之方法及具有若干柱之记忆体单元。个别柱可具有由一块体半导体材料形成之一半导体立柱及位于该半导体立柱上之一牺牲帽。源极区域可位于该等柱之行之间,且闸极线沿一柱行延伸并与对应源极区域间隔开。每一闸极线沿一柱行环绕该等半导体立柱之一部分。可选择性地移除该牺牲帽结构以藉此形成曝露对应半导体立柱之一顶部部分之自对准开口。形成于该等自对准开口中之个别汲极触点电连接至对应半导体立柱。