形成绝缘结构的方法;METHOD OF FORMING AN ISOLATION STRUCTURE

摘要

本发明有关一种形成绝缘结构的方法,其中,经由硬遮罩层于基底中形成沟渠,于移除硬遮罩层后,依序进行第一次沉积、第一次回蚀刻、第二次沉积、平坦化制程及第二次回蚀刻形成绝缘结构的绝缘材料层。可于第一次沉积前形成矽层覆盖沟渠及基底原始表面,或于第一次回蚀刻后第二次沉积前形成矽层覆盖部分沟渠及基底原始表面,做为平坦化制程的停止层。第一次回蚀刻部分的绝缘材料时可暴露或移除位于其中之孔洞,于第二次沉积时则因具有较小的深宽比,可避免孔洞的形成。