利用氟掺杂形成积体电路系统之方法;METHODS FOR FORMING INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS EMPLOYING FLUORINE DOPING

摘要

本发明涉及利用氟掺杂技术形成积体电路系统的方法,提供一种用于形成半导体装置的方法,其包含下列步骤:提供闸极结构于半导体基板的主动区中,其中该闸极结构包含具有高k材料的闸极绝缘层、闸极金属层及闸极电极层,形成邻近该闸极结构的侧壁间隔体,以及之后,执行氟植入制程。也提供一种用于形成CMOS积体电路结构的方法,其包含下列步骤:提供有第一主动区及第二主动区的半导体基板,形成第一闸极结构于该第一主动区中以及第二闸极结构于该第二主动区中,其中每个闸极结构包含具有高k材料的闸极绝缘层、闸极金属层及闸极电极层,形成邻近该第一及该第二闸极结构的每一个的侧壁间隔体,以及之后,执行氟植入制程。