发明名称 |
二氧化矽玻璃坩锅和用二氧化矽玻璃坩锅提拉单晶矽的方法 |
摘要 |
在用于提拉矽晶体的二氧化矽玻璃坩锅中,在所述坩锅的完整圆周上在同一高度位置处所测量的矽气泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圆周最大容许度不大于6%。 |
申请公布号 |
TWI458864 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW098122141 |
申请日期 |
2009.06.30 |
申请人 |
日本超精石英股份有限公司 日本 |
发明人 |
岸弘史 |
分类号 |
C30B15/10;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B15/10 |
代理机构 |
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代理人 |
郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼 |
主权项 |
一种用于提拉矽晶体的二氧化矽玻璃坩锅,其特征在于在所述坩锅的完整圆周上在同一高度位置处所测量的气泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圆周最大容许度不大于6%,其中,所述气泡含量是所述坩埚的内层的气泡含量,所述壁厚度是从所述坩锅的内表面到外表面的剖面部分的最短距离,所述透射率是以方程式W1/W0×100计算而得,其中在红外线辐射装置与红外线测量仪器之间放置有所述坩锅的情况下,红外线数量是W1;且在所述红外线辐射装置与所述红外线测量仪器之间并未放置所述坩锅的情况下,红外线数量是W0。 |
地址 |
日本 |