| 摘要 |
Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Le circuit comprend en outre au moins un dispositif capacitif commutable (DIS) ayant une valeur capacitive ajustable et comportant au moins une cellule capacitive commutable (CEL) possédant un condensateur principal (CDP) et un système métallique disposé au moins en partie dans un logement de ladite partie d'interconnexion et électriquement connecté audit condensateur principal, le système métallique ayant un premier (BR) et un deuxième (PQI) éléments métalliques mobiles relativement l'un à l'autre dans ledit logement (LGT), et étant commutable entre une première configuration dans laquelle les deux éléments sont mutuellement espacés de façon à former un condensateur auxiliaire électriquement connecté audit condensateur principal et conférer une première valeur capacitive à ladite cellule capacitive, et une deuxième configuration dans laquelle les deux éléments métalliques sont mutuellement en contact de façon à conférer une deuxième valeur capacitive à la cellule capacitive. |
