| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einer nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Deckfläche (1) und – einer aktiven Zone (21), die beabstandet zur Deckfläche (1) ist und zumindest stellenweise parallel zur Deckfläche (1) verläuft, wobei – die Deckfläche (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst, durch die im Betrieb in der aktiven Zone (21) erzeugte elektromagnetische Strahlung austritt, – die Strahlungsaustrittsfläche (11) wenigstens vier Ecken (12) aufweist und – die Deckfläche (1) zumindest eine dreieckige Anschlussfläche (13a, 13b) umfasst, über die die aktive Zone elektrisch anschließbar ist. |
