发明名称 Herstellungsverfahren für ein leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung
摘要 <p>Herstellungsverfahren für ein leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung (14), einer Mehrzahl von ersten flächigen Isolierstoffkörpern (160), einer Mehrzahl von ersten Leiterbahnen (162), mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (102, 104, 106, 108, 112, 124, 126, 128), mindestens einer internen Verbindungseinrichtung (30) und externen Anschlusselementen, bestehend aus den folgenden Arbeitsschritten a) Bereitstellen eines Kühlkörpers (14); b) Anordnen der ersten Isolierstoffkörper (160) mit ihren ersten Hauptflächen auf dem Kühlkörper (14); c) Anordnen der ersten Leiterbahnen (162) auf den Isolierstoffkörpern (160), derart, dass mindestens eine erste Leiterbahn (162) zwei erste Isolierstoffkörper (160) auf deren zweiter Hauptfläche zumindest teilweise bedeckt und einen Zwischenraum (18) zwischen den ersten Isolierstoffkörpern (160) mit mindestens einem Verbindungsabschnitt (166) überdeckt, wobei zwischen dem Kühlkörper (14) und den ersten Isolierstoffkörpern (160) sowie zwischen den ersten Isolierstoffkörpern (160) und der mindestens einen ersten Leiterbahn (162) eine Sinterpaste (144, 164) vorgesehen ist; cc) Verbinden des Kühlkörpers (14) mit den ersten Isolierstoffkörpern (160) und der ersten Isolierstoffkörper (160) mit der mindestens einen ersten Leiterbahn (162) mittels einer Drucksintervorrichtung; d) Anordnen des mindestens einen Leistungshalbleiterbauelements (102, 104, 106, 108, 122, 124, 126, 128) auf einer ersten Leiterbahn (162); e) Anordnen der mindestens einen internen Verbindungseinrichtung (30).</p>
申请公布号 DE102011078806(B4) 申请公布日期 2014.10.30
申请号 DE20111078806 申请日期 2011.07.07
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH &amp, CO. KG 发明人 BESENDÖRFER, GEORG KURT, DR.;ERDNER, NADJA;STEGER, JÜRGEN
分类号 H01L23/36;H01L21/603;H01L23/18;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/07;H05K7/20 主分类号 H01L23/36
代理机构 代理人
主权项
地址