シリコン層を含む基板表面にグラフェン層を形成する方法

摘要

シリコン層（１０１）を含む基板（１００）の表面にグラフェン層（１０５）を形成する方法に関し、その方法は、連続して、次の段階：シリコン層の自由表面に炭化ケイ素膜（１０３）を形成すること；および炭化ケイ素膜の原子の少なくとも第１の列におけるケイ素が昇華するまで基板を徐々に加熱し、炭化ケイ素膜上にグラフェン層を形成させること、を含む。本発明によれば、その自由表面に段差のあるシリコン層が使用される。