R-T-B-BASIERTER PERMANENTMAGNET

摘要

Die vorliegende Erfindung sieht einen Permanentmagneten vor, dessen magnetische Eigenschaften nicht erheblich verringert sind und der bei einer niedrigeren Temperatur hergestellt werden kann, verglichen mit herkömmlichen R-T-B-basierten Permanentmagneten. In der R-T-B-basierten Struktur kann eine gestapelte Struktur einer R1-T-B-basierten Kristallschicht und einer Ce-T-B-basierten Kristallschicht durch abwechselndes Stapeln der R1-T-B-basierten Kristallschicht und der Ce-T-B-basierten Kristallschicht gebildet werden. Auf diese Weise kann ein hohes magnetisches Anisotropiefeld der R1-T-B-basierten Kristallschicht aufrechterhalten werden, während die Kristallisierungstemperatur durch die Ce-T-B-basierte Kristallschicht verringert werden kann.