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Ein Feldeffekttransistor enthält eine Kanalschicht (14), in der ein zweidimensionales Elektronengas gebildet ist, eine Elektronenzuführschicht (16), die auf der Kanalschicht (14) gebildet ist, eine Sourceelektrode (20), die auf der Elektronenzuführschicht (16) gebildet ist, eine Drainelektrode (22), die auf der Elektronenzuführschicht (16) gebildet ist, eine Gateelektrode (18), die an einer Stelle auf der Elektronenzuführschicht (16) gebildet ist, die zwischen der Sourceelektrode (20) und der Drainelektrode (22) liegt, und eine erste eingebettete Schicht (30A), die an einer Stelle, die tiefer ist als ein zweidimensionaler Elektronengasbereich (14A), in dem das zweidimensionale Elektronengas in der Kanalschicht (14) gebildet ist, direkt unterhalb eines Endes (18A) der Gateelektrode (18) auf der Seite der Drainelektrode (22) eingebettet ist. Die erste eingebettete Schicht (30A) ist aus einem Material gebildet, das ein Potential des zweidimensionalen Elektronengasbereichs (14A) verglichen mit dem Fall ohne die erste eingebettete Schicht (30A) erhöht. |
