发明名称 |
Halbleiterbauelement mit einer Zwischenschicht |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge mit einer p-dotierten Schicht, mit einer n-dotierten Schicht und mit einer zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordneten aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die n-dotierte Schicht wenigstens GaN aufweist, wobei in der n-dotierten Schicht eine Zwischenschicht angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht AlxGa1-xN aufweist, wobei 0 < x ≤ 1 ist, und wobei die Zwischenschicht Magnesium aufweist. |
申请公布号 |
DE102013104192(A1) |
申请公布日期 |
2014.10.30 |
申请号 |
DE201310104192 |
申请日期 |
2013.04.25 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
MEYER, TOBIAS;PETER, MATTHIAS;OFF, JÜRGEN;WALTER, ALEXANDER;GOTSCHKE, TOBIAS;LEIRER, CHRISTIAN |
分类号 |
H01L33/32;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/22 |
主分类号 |
H01L33/32 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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