| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Chips (13) durch Teilung eines Wafers längs Abmessungen des Chips definierenden Teilungslinien (11, 12), wobei ein Fokus (18) einer vorzugsweise gepulsten Laserstrahlung (16) längs den Teilungslinien auf einem ersten und zumindest einem zweiten Pfad (25, 26) innerhalb des Waferkörpers bewegt wird, wobei die Laserbeaufschlagung des Wafers von einer Rückseite (17) des Wafers her erfolgt, und die Leistungsdichte zur Erzeugung der Fehlstellen (28) auf dem ersten Pfad (25) geringer ist als die Leistungsdichte zur Erzeugung der Fehlstellen (29) auf dem zweiten Pfad (26), und/oder die Anzahl der Fehlstellen auf dem ersten Pfad kleiner ist als die Anzahl der Fehlstellen auf dem zweiten Pfad. |
