特定の有機化合物を含む化学機械研磨用組成物の存在下での元素ゲルマニウムおよび／またはＳｉ１−ｘＧｅｘ材料の化学機械研磨を含む、半導体デバイスを製造するための方法

摘要

（Ａ）無機粒子、有機粒子、またはこれらの混合物もしくは複合体、（Ｂ）少なくとも１種の酸化剤、（Ｃ）少なくとも｛ｋ｝個の部分（Ｚ）を含むが、陰イオンが無機物であり、かつ唯一の有機陽イオンが［ＮＲ１１Ｒ１２Ｒ１３Ｒ１４］＋である塩を除く、少なくとも１種の有機化合物であって、上記における｛ｋ｝は、１、２、または３であり、（Ｚ）は、ヒドロキシル（−ＯＨ）、アルコキシ（−ＯＲ１）、複素環アルコキシ（複素環構造の一部としての−ＯＲ１）、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、カルボキシレート（−ＣＯＯＲ２）、アミノ（−ＮＲ３Ｒ４）、複素環アミノ（複素環構造の一部としての−ＮＲ３Ｒ４）、イミノ（＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、複素環イミノ（複素環構造の一部としての＝Ｎ−Ｒ５もしくは−Ｎ＝Ｒ６）、ホスホネート（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ７）（ＯＲ８））、ホスフェート（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ９）（ＯＲ１０））、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）、リン酸（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）部分、またはこれらのプロトン化体もしくは脱プロトン化体であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ９は、互いに独立して、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ１０は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、Ｒ６は、アルキレン、またはアリールアルキレンであり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに独立して、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、いずれの部分（Ｚ）も含まず、Ｒ１４は、アルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキルであり、いずれの部分（Ｚ）も含まない、有機化合物、及び（Ｄ）水媒体を含む、化学機械研磨（ＣＭＰ）用組成物の存在下での、元素ゲルマニウムおよび／またはＳｉ１−ｘＧｅｘ（式中、０．１≦̸ｘ＜１である）材料の化学機械研磨を含む、半導体デバイスを製造するための方法。