发明名称 Leistungstransistor mit einer zumindest teilweise integrierten Treiberstufe
摘要 <p>Ein Halbleiterchip weist ein Halbleitersubstrat auf, das einen ersten Bereich und einen von dem ersten Bereich isolierten zweiten Bereich aufweist. Ein in dem ersten Bereich des Halbleitersubstrats angeordneter Leistungstransistor, weist ein Gate, ein Source und ein Drain auf. Ein in dem zweiten Bereich des Halbleitersubstrats angeordneter Gatetreiber-Transistor weist ein Gate, ein Source und ein Drain auf. Der Gatetreiber-Transistor ist elektrisch mit dem Gate des Leistungstransistors verbunden und ist betreibbar, um als Antwort auf ein extern erzeugtes Steuersignal, mit dem das Gate des Gatetreiber-Transistors angesteuert wird, den Leistungstransistor aus- oder einzuschalten. Ein erstes Anschlusspad ist elektrisch mit dem Source des Leistungstransistors verbunden und ein zweites Anschlusspad ist elektrisch mit dem Drain des Leistungstransistors verbunden. Ein drittes Anschlusspad ist elektrisch mit dem Gate des Gatetreiber-Transistors zum Empfangen des extern erzeugten Steuersignals verbunden.</p>
申请公布号 DE102014106102(A1) 申请公布日期 2014.10.30
申请号 DE201410106102 申请日期 2014.04.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 NOEBAUER, GERHARD;POELZL, MARTIN;RIEGER, WALTER;VIELEMEYER, MARTIN HENNING
分类号 H01L27/088;H01L23/62;H01L25/065;H01L27/092;H03K17/16 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
主权项
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