发明名称 |
一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法,所述复合介质保护膜包括ZnO纳米线,所述ZnO纳米线的表面设置有一层MgO薄膜。由于在基片上设置ZnO籽晶层,并使得ZnO籽晶层生长出ZnO纳米线后,在ZnO纳米线表面沉积MgO薄膜,因此,提高了复合介质保护膜表面的粗糙度,使得复合介质保护膜的二次电子发射系数提高,二次电子发射系数高的介质保护膜能够有效降低显示器的着火电压,进而从一定程度上降低了PDP显示器的功耗和成本,提高器件的寿命,增强显示器件工作电压的稳定性。 |
申请公布号 |
CN104124123A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201410131032.5 |
申请日期 |
2014.04.02 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
孟瑜;贾小琼;马洋;宋忠孝;李雁淮 |
分类号 |
H01J11/40(2012.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01J11/10(2012.01)I |
主分类号 |
H01J11/40(2012.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种MgO/ZnO复合介质保护膜,其特征在于,所述复合介质保护膜包括ZnO纳米线,所述ZnO纳米线的表面设置有一层MgO薄膜。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |