制作半导体器件结构的线接触孔的方法

摘要

本发明提出了一种制作半导体器件结构的线接触孔的方法，该方法包括下列步骤：提供前端器件层结构，该前端器件层结构包括具有栅极结构的衬底，和形成衬底中位于该栅极结构两侧的有源区，在所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层的表面形成堆叠掩膜层，在所述堆叠掩膜层中对应于所述有源区的位置处刻蚀形成开口；在所述开口的侧壁和底部形成聚合物层，使所述开口的底部直径达到目标值；去除所述开口底部的所述聚合物层，以带有所述开口的堆叠掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述半导体器件结构的线接触孔。本发明的方法避免了现有器件结构中接触孔短路的问题，有效地提高了制备半导体器件结构的良品率。

主权项

一种制作半导体器件结构的线接触孔的方法，其特征在于：提供前端器件层结构，该前端器件层结构包括具有栅极结构的衬底，和形成衬底中位于该栅极结构两侧的有源区，在所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层的表面形成堆叠掩膜层，在所述堆叠掩膜层中对应于所述有源区的位置处刻蚀形成开口，其中，刻蚀所述堆叠掩膜层形成开口的刻蚀方式为竖直向下的干法刻蚀方式，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含氮气和氢气；在所述开口的侧壁和底部形成聚合物层，使所述开口的底部直径达到目标值；去除所述开口底部的所述聚合物层，其中，去除所述开口底部的所述聚合物层的刻蚀方式是竖直向下的干法刻蚀方式，所述干法刻蚀的刻蚀气体为包含CO、CO2或SO2和O2组成的刻蚀气体；以带有所述开口的堆叠掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述半导体器件结构的线接触孔。