| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法，该方法在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，去除由于为了形成电极沟槽所进行的干蚀刻而产生的蚀刻残留物和变质物，并且用氟来终止化合物半导体。经由栅绝缘膜将栅极金属埋置在电极沟槽中，或者将栅极金属直接地埋置在电极沟槽中，从而形成栅极。本发明的化合物半导体器件能够提供高的晶体管特性：其化合物半导体层的表面上的悬空键被大大减少，由此阈值电压经历较小的变化并较稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN102487079B | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201110342603.6 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 尾崎史朗;中村哲一;多木俊裕;金村雅仁 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H02M5/10(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郝新慧;张浴月 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；以及栅极，形成在所述化合物半导体层的上方，其中，用氟来终止位于所述化合物半导体层的表面上的化合物半导体；其中，在氟终止处理之后，在所述化合物半导体层的表面上的氮原子数和金属原子数的比率不小于0.84且不大于1。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||