发明名称 | 阻变型随机存储单元及存储器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种阻变型随机存储单元及存储器。本发明阻变型随机存储单元由阻变存储器与双态电阻器串联形成,由于双态电阻器在正反两个电压极性都可以提供较大的工作电流,所以可以减小交叉阵列中的漏电通道,从而消除读串扰现象。 | ||
申请公布号 | CN102623045B | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
申请号 | CN201110029781.3 | 申请日期 | 2011.01.27 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳 |
分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
主权项 | 一种阻变型随机存储单元,其特征在于,该存储单元包括:相互串联的阻变存储器和双态电阻器;所述双态电阻器具有双向整流特性,其中,对于所述双态电阻器:当正向扫描电压到达V<sub>1</sub>时,双态电阻器由高阻态变到低阻态,当扫描电压由V<sub>1</sub>回扫时,双态电阻器保持低阻状态,当扫描电压小于V<sub>2</sub>时,双态电阻器由低阻态回到高阻态,其中V<sub>1</sub>>V<sub>2</sub>;当反向扫描电压到达V<sub>3</sub>时,双态电阻器由高阻态变到低阻态,当扫描电压由V<sub>3</sub>回扫时,双态电阻器保持低阻状态,当扫描电压小于V<sub>4</sub>时,双态电阻器由低阻态回到高阻态,其中┃V<sub>3</sub>┃>┃V<sub>4</sub>┃,┃V<sub>3</sub>┃>┃V<sub>1</sub>┃。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |