发明名称 一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法
摘要 本发明涉及一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,在C/C复合材料表面制备了多孔SiC纳米线层,利用SiC纳米超高的强度和弹性模量以及其于SiC涂层基体的良好结合力,有效提高了SiC涂层的断裂韧性,从而降低了SiC涂层高温磨损率,有利于增强涂层的耐磨性能。添加SiC纳米线后,SiC涂层在800℃下的磨损率从1.51×10<sup>-3</sup>mm<sup>3</sup>·N<sup>-1</sup>·m<sup>-1</sup>降低至1.83×10<sup>-4</sup>mm<sup>3</sup>·N<sup>-1</sup>·m<sup>-1</sup>,降低了一个数量级。
申请公布号 CN103214268B 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201310105833.X 申请日期 2013.03.28
申请人 西北工业大学 发明人 李贺军;陈梓山;付前刚;褚衍辉
分类号 C04B41/85(2006.01)I 主分类号 C04B41/85(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于步骤如下: 步骤1、预处理C/C复合材料:将C/C复合材料采用砂纸打磨抛光,然后依次分别用水和无水乙醇超声清洗15‑20min,在空气中晾干或者烘干; 步骤2、在C/C复合材料表面制备多孔SiC纳米线层:分别称取质量百分比为10‑20%的Si粉,15‑30%的C粉,55‑75%的SiO<sub>2</sub>粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2‑4小时; 步骤3:然后将步骤2制备好的粉料放入石墨坩埚中,并将步骤1处理的C/C复合材料用碳绳捆绑后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方,将石墨坩埚放入真空加热炉中,以5‑10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600‑1700℃,保温1‑3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,得到含SiC纳米线的C/C复合材料;全程氩气保护; 步骤4、在含SiC纳米线的C/C复合材料表面制备SiC涂层:称取质量百分比为10‑20%的Si粉,80‑90%的C粉,5‑15%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2‑4小时后烘干; 步骤5:将步骤4制备的粉料铺于石墨坩埚底部,接着将含SiC纳米线的C/C复合材料放入坩埚里粉料表面,再在上面铺满步骤4制备的粉料直至将SiC纳米线的C/C复合材料没于粉料之中; 步骤6:将石墨坩埚放入真空加热炉中,以氩气作为保护气体,以5‑10℃/min升温速度将炉温从室温升至1800‑2100℃,保温1‑3小时;随后关闭电源自然冷却至室温。 
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