| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的多个栅极堆叠以及栅极堆叠的沿第一方向的两侧的多个源漏区；在器件上形成层间介质层；刻蚀层间介质层以形成源漏接触沟槽；在源漏接触沟槽中形成接触金属层，具有沿第二方向延伸的、并且连接多个源漏区的第一部分，以及沿第一方向延伸的、并且与所述第一部分相连的第二部分，以在同一平面内实现不同晶体管之间的局部互连。依照本发明的半导体器件及其制造方法，利用相邻晶体管的自对准接触结构实现晶体管之间短距离局域互连，简化了工艺，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104124198A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310151287.3 | 申请日期 | 2013.04.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;钟汇才;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的多个栅极堆叠以及栅极堆叠的沿第一方向的两侧的多个源漏区；在器件上形成层间介质层；刻蚀层间介质层以形成源漏接触沟槽；在源漏接触沟槽中形成接触金属层，具有沿第二方向延伸的、并且连接多个源漏区的第一部分，以及沿第一方向延伸的、并且与所述第一部分相连的第二部分，以在同一平面内实现不同晶体管之间的局部互连。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||