发明名称 | 沟槽的形成方法 | ||
摘要 | 一种沟槽的形成方法,包括:提供硅衬底,所述硅衬底包括第一区域和第二区域;对所述硅衬底进行等离子体刻蚀,所述等离子体刻蚀包括:进行第一阶段刻蚀,在硅衬底中第一开口和第二开口,所述第一开口的宽度小于的第二开口的宽度;进行第二阶段氧化,在所述第一开口底部和侧壁形成第一氧化层、在第二开口的底部和侧壁形成第二氧化层;进行第三阶段刻蚀,刻蚀去除第一氧化层和部分厚度的第二氧化层;进行第四阶段刻蚀,形成第三开口和第四开口;重复循环第二阶段氧化、第三阶段刻蚀和第四阶段刻蚀的步骤,直至在硅衬底的第一区域中形成若干第一沟槽、在衬底的第二区域中形成若干第二沟槽。有效的消除刻蚀负载效应对刻蚀过程的影响。 | ||
申请公布号 | CN104124194A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
申请号 | CN201310156972.5 | 申请日期 | 2013.04.28 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王新鹏 |
分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种沟槽的形成方法,其特征在于,包括:提供硅衬底,所述硅衬底包括第一区域和第二区域;对所述硅衬底进行等离子体刻蚀,所述等离子体刻蚀包括:进行第一阶段刻蚀,在硅衬底的第一区域中形成若干第一开口,在硅衬底的第二区域中形成若干第二开口,所述第一开口的宽度小于的第二开口的宽度,第一区域中第一开口的密度大于第二区域中第二开口的密度;进行第二阶段氧化,在所述第一开口底部和侧壁形成第一氧化层、在第二开口的底部和侧壁形成第二氧化层,第一氧化层的厚度小于第二氧化层的厚度;进行第三阶段刻蚀,刻蚀去除第一氧化层和部分厚度的第二氧化层;进行第四阶段刻蚀,沿第一开口刻蚀第一区域的硅衬底,形成第三开口,沿第二开口刻蚀剩余的第二氧化层和第二区域的硅衬底,形成第四开口;重复循环第二阶段氧化、第三阶段刻蚀和第四阶段刻蚀的步骤,直至在硅衬底的第一区域中形成若干第一沟槽、在衬底的第二区域中形成若干第二沟槽。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |