| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件。一种半导体器件包括：第一阱、第二阱和分离结构。第一阱和第二阱被嵌入在半导体衬底中。分离结构也被嵌入在半导体衬底中并且将第一阱和第二阱分离，使得第一阱和第二阱彼此不接触。 | ||
| 申请公布号 | CN203910809U | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201320825869.0 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 伊藤明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一阱，嵌入在半导体衬底中； 第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；以及 分离结构，嵌入在所述半导体衬底中，将所述第一阱和所述第二阱分离，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||