| 发明名称 | 一种生长在Si衬底上的LED外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n-GaN层、In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N/GaN量子阱层、Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N电子阻挡层和Mg掺p-GaN层，所述AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n-GaN层、In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N/GaN量子阱层、Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N电子阻挡层和Mg掺p-GaN层依次生长在Si衬底上。本实用新型中外延生长多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，确保在外延降温过程中不产生裂纹，能够在Si衬底上外延出高质量的GaN薄膜，降低缺陷密度，提高LED的内量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203910839U | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201420307705.3 | 申请日期 | 2014.06.10 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n‑GaN层、In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N/GaN量子阱层、Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N电子阻挡层和Mg掺p‑GaN层，所述AlN成核层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n‑GaN层、In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N/GaN量子阱层、Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N电子阻挡层和Mg掺p‑GaN层依次生长在Si衬底上，其中，x为0‑1，y为0‑0.2，z为0‑0.3。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||