在接触沟槽中形成多层势垒金属的器件

摘要

一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。

主权项

一种形成在半导体衬底上的半导体器件，其特征在于，该器件包含形成在接触沟槽中的器件组件，其中所述的接触沟槽包含：一个沉积在接触沟槽的底部和侧壁部分的势垒金属；以及一个沉积在接触沟槽的剩余部分中的钨插头，其中接触沟槽还包含一个形成在靠近接触沟槽底部的半导体衬底中的肖特基二极管，并且其中所述的势垒金属包含：一个靠近接触沟槽侧壁和底部的第一金属层，其中所述的第一金属层含有一种氮化物；以及一个位于第一金属层和钨插头之间、以及钨插头和侧壁之间的第二金属层；所述的势垒金属还包含一个位于第二金属层和钨插头之间的第三金属层；所述第一金属层包含有层叠设置的钛层和氮化钛层，第三金属层包含有层叠设置的钛层和氮化钛层；所述第二金属层含有铝‑硅‑铜、或铝‑铜、或铝‑硅。