发明名称 一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件
摘要 本发明涉及一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件,包括外壳、电极、电光晶体,电光晶体包括从左到右依次设置的四块低电导率、Ⅱ类参量临界相位匹配角度切割的KTP晶体,依次旋转90°放置;在第一、三块KTP晶体的上、下通电面镀金膜,在第二、四块KTP晶体的前、后通电面镀金膜;从第一块晶体的上通电面、第二块晶体的前通电面、第三块晶体的下通电面和第四块晶体的后通电面引出金线,连接到正电极;从四块晶体的另一侧通电面引出金线,连接到负电极;器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本发明实现参量作用和电光调Q两种功能的同时补偿了走离角和静态双折射相位延迟,消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。
申请公布号 CN102983490B 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201210511359.6 申请日期 2012.12.04
申请人 山东科技大学 发明人 张玉萍;张会云;张洪艳;刘蒙;尹贻恒
分类号 H01S3/115(2006.01)I;H01S3/109(2006.01)I 主分类号 H01S3/115(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项  一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件,包括外壳、电极、电光晶体,其特征在于:电光晶体包括四块满足Ⅱ类参量临界相位匹配的KTP晶体,从左到右依次设置第一块KTP晶体(1)、相对第一块KTP晶体(1)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2)、相对第一块KTP晶体(1)旋转180°放置的第三块KTP晶体(3)和相对第三块KTP晶体(3)旋转90°放置的第四块KTP晶体(4);在第一块KTP晶体(1)的上通电面镀金膜(5),下通电面镀金膜(6),在第二块KTP晶体(2)的前通电面镀金膜(7),后通电面镀金膜(8),在第三块KTP晶体(3)的上通电面镀金膜(9),下通电面镀金膜(10),在第四块KTP晶体(4)的前通电面镀金膜(11),后通电面镀金膜(12);从第一块KTP晶体(1)的上通电面镀金膜(5)、第二块KTP晶体(2)的前通电面镀金膜(7)、第三块KTP晶体(3)的下通电面镀金膜(10)和第四块KTP晶体(4)的后通电面镀金膜(12)引出金线,连接到正电极;从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜(6)、第二块KTP晶体的后通电面镀金膜(8)、第三块KTP晶体的上通电面镀金膜(9)和第四块KTP晶体(11)的前通电面镀金膜引出金线,连接到负电极。
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