一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元

摘要

一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，包括控制管、隧穿管以及选择管，控制管和选择管为PMOS晶体管，隧穿管为改进的具有低多晶掺杂浓度的PMOS晶体管；控制管、隧穿管的栅极连接在一起，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离；控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管和选择管驻留在第二个N阱中。控制管的源极、漏极与第一个N阱连接在一起作为控制端子，隧穿管的源极与第二个N阱连接在一起作为隧穿端子，选择管的栅极作为选择端子，选择管的源极与隧穿管的漏极连接，选择管的漏极输出数据。其与标准CMOS工艺兼容，且使用改进的隧穿管，能够增强隧穿管的反偏FN隧穿电流，从而提高存储单元的擦除效率，且对存储单元的数据保持性无影响。

主权项

一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管以及选择管，控制管和选择管为PMOS晶体管，隧穿管为改进的具有低多晶掺杂浓度的PMOS管；控制管、隧穿管的栅极连接在一起，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离；控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管和选择管驻留在第二个N阱中；控制管的源极、漏极与第一个N阱连接在一起作为控制端子，隧穿管的源极与第二个N阱连接在一起作为隧穿端子，选择管的栅极作为选择端子，选择管的源极与隧穿管的漏极连接，选择管的漏极输出数据。