| 发明名称 | 一种改善半导体工艺流程中铝残留的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善半导体工艺流程中铝残留的方法，在硅片上生长铝互连复合金属膜时，在铝复合金属膜中的导电层AlCu与上方的阻挡层金属TiN之间增设一层钛金属层Ti，同时提高导电层AlCu与上方的阻挡层金属TiN的厚度，并降低铝互连复合金属膜的生长温度，通过本发明的方法能够有效改善半导体制造工艺中铝残留的问题。通过现有的设备即可实现，成本几乎没有增加。 | ||
| 申请公布号 | CN104124204A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310157974.6 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 马宜攒;闵炼锋;刘长安 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人 | 王爱伟 |
| 主权项 | 一种改善半导体工艺流程中铝残留的方法，其包括：在形成铝互连复合金属膜时，在铝复合金属膜中的导电层AlCu与上方的阻挡层金属TiN之间增设一层钛金属层Ti，同时提高导电层AlCu与上方的阻挡层金属TiN的厚度，并降低铝互连复合金属膜的生长温度。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||