| 发明名称 | 用于微光刻投射曝光的设备以及用于检查基底表面的设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于微光刻投射照明的设备(10)、用于检查基底(20)的表面的设备(110)及其相关方法。一种用于微光刻投射曝光的设备(10)，包括：光学系统(18)，用于通过利用成像辐射(15)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16)成像到基底(20)的表面(21)上，所述光学系统(18)具有至少一个反射光学元件(22)；以及测量光束路径(36)，用于引导测量辐射(34)，所述测量光束路径(36)在所述光学系统(18)内延伸，使得在所述设备(10)的操作期间，所述测量辐射(34)在所述至少一个反射光学元件(22-6；22-3、22-4、22-5、22-6)上反射，并且还在所述基底(20)的表面(21)上反射。 | ||
| 申请公布号 | CN104122761A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201410363267.7 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | 汉斯-于尔根.曼;沃尔夫冈.辛格 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种用于微光刻投射曝光的设备(10)，包括：光学系统(18)，用于通过利用成像辐射(15)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16)成像到基底(20)的表面(21)上，所述光学系统(18)具有至少一个反射光学元件(22)；以及测量光束路径(36)，用于引导测量辐射(34)，所述测量光束路径(36)在所述光学系统(18)内延伸，使得在所述设备(10)的操作期间，所述测量辐射(34)在所述至少一个反射光学元件(22‑6；22‑3、22‑4、22‑5、22‑6)上反射，并且还在所述基底(20)的表面(21)上反射。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||