一种沟槽结构肖特基势垒二极管及其制作方法

摘要

本发明提供一种沟槽结构肖特基势垒二极管及其制作方法，所述制作方法包括步骤：1）于N型重掺杂的硅衬底表面形成N型轻掺杂的硅外延层；2）于所述硅外延层形成多个间隔排列的沟槽；3）对各所述沟槽的底部进行刻蚀，形成预设形状的沟槽底部结构，于各所述沟槽底部结构表面形成介质层；4）于所述沟槽底部结构及沟槽内填充P型硅；5）于所述硅外延层表面形成金属硅化物；6）于所述金属硅化物表面形成阳电极；7）减薄所述硅衬底，并于所述硅衬底背面形成阴电极。与现有技术相比较，本发明利用新型沟槽型结构，制作出性能更优的肖特基势垒二极管器件，在保证所需反向击穿电压的同时，降低正向导通压降，并且减小器件面积。

主权项

一种沟槽结构肖特基势垒二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一N型重掺杂的硅衬底，于所述硅衬底表面形成N型轻掺杂的硅外延层；2)于所述硅外延层形成多个间隔排列的沟槽；3)对各所述沟槽的底部进行刻蚀，形成预设形状的沟槽底部结构，于各所述沟槽底部结构表面形成介质层，并裸露出各所述沟槽侧壁的硅外延层；4)于所述沟槽底部结构及沟槽内填充P型硅，并去除多余的P型硅直至露出所述硅外延层表面；5)于所述硅外延层表面形成肖特基金属，并进行退火使所述硅外延层及肖特基金属间形成金属硅化物；6)于所述金属硅化物表面形成阳电极；7)减薄所述硅衬底，并于所述硅衬底背面形成阴电极。