双极性薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双极性薄膜晶体管及其制备方法，其中双极性薄膜晶体管包括衬底；位于衬底表面的栅电极和位于栅电极表面的栅介质层；位于栅介质层表面的氧化物沟道层；位于氧化物沟道层表面的源电极和漏电极；以及位于源电极和漏电极之间的氧化物沟道层表面的覆盖层。其中，覆盖层中的负电荷用于调节氧化物沟道层中的空穴浓度。其通过在氧化物沟道层表面沉积一层覆盖层，由覆盖层中的负电荷俘获氧化物沟道层中的自由空穴，达到调节氧化物沟道层中空穴浓度的目的，从而改善双极性薄膜晶体管的对称性。有效地解决了现有的磁控溅射沉积制备的底栅结构的双极性薄膜晶体管对称性较差的问题。

主权项

一种双极性薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的栅电极和位于所述栅电极表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的氧化物沟道层；位于所述氧化物沟道层表面的源电极和漏电极；以及位于所述源电极和所述漏电极之间的所述氧化物沟道层表面的覆盖层；其中，所述覆盖层中的负电荷用于调节所述氧化物沟道层中的空穴浓度。