一种用于ESD防护的具有强抗闩锁能力的SCR_PNP结构

摘要

一种用于ESD防护设计具有强抗闩锁能力的SCR_PNP结构，属于电子科学与技术领域，当IC芯片在生产、封装、测试等过程中，处于不上电状态，SCR结构开启，其具有很强的静电防护能力；当芯片处于上电状态时，PNP结构开启，其具有很强的抗闩锁能力；从而保证该静电防护器件即具有较强的静电防护能力，又具有很强的抗闩锁能力，能够满足高压ESD防护设计需求。该结构即保证该静电防护器件具有较强的静电防护能力，又具有很强的抗闩锁能力，能够满足高压ESD防护设计需求，同时节省了芯片面积。

主权项

一种用于ESD防护设计的具有强抗闩锁能力的SCR_PNP结构，包括：P型衬底、衬底上绝缘层区、N外延层区、N外延层上的P型阱区、N外延层上的N型阱区、场氧化层区、多晶硅栅区、薄氧化层区、用于隔离高压器件与低压器件的隔离区、N型重掺杂区、P型重掺杂区。绝缘层区位于P型衬底顶部，N型外延区位于绝缘层区的顶部，第一P型阱区、第二P型阱区和第一N型阱区位于N型外延区的顶部，并且第一P型阱区在第二P型阱区和第一N型阱区之间，第一P型阱区和第二P型阱区之间有绝缘层。第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区位于第一P型阱区的顶部，第一P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第一N型阱区之间，第一P型重掺杂区和第一N型阱区之间表面有部分第一多晶硅区和场氧化层区。第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区位于第二P型阱区的顶部，第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区之间有第二多晶硅区。第二P型重掺杂区位于N型阱区的顶部，第二P型重掺杂区作为阳极；第一N型重掺杂区和第三N型重掺杂区以及第一多晶硅区通过金属导线连载一起作为器件的阴极，第二N型重掺杂区和第一P型重掺杂区通过导线连接；第二多晶硅区通过导线连接到低压电源端。应用时，器件阳极接至需要被保护的芯片的引脚端口，器件阴极接至地电位。