一种鳍型半导体器件

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种鳍型半导体器件，包括至少一个衬底、在所述衬底内形成的鳍型的源区和漏区、介于所述源区和漏区之间形成的“П”形沟道区、一个浮栅、一个控制栅以及一个用于连接所述浮栅与所述漏区的栅控p-n结二极管。本发明所提出的鳍型半导体器件用浮栅存储信息，并通过所述栅控p-n结二极管对浮栅进行充电或放电，具有驱动电流大、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。

主权项

一种鳍型半导体器件，其特征在于，包括：一个具有第一种掺杂类型的衬底；在所述衬底内形成的具有第二种掺杂类型的鳍型的源区和漏区；在所述衬底内且介于所述源区与所述漏区之间形成的沟道区，所述的沟道区沿垂直于沟道长度方向的截面成“П”形；覆盖所述源区与所述漏区的鳍的顶部及鳍的两侧并覆盖整个所述的“П”形沟道区形成的第一层绝缘薄膜；在覆盖所述漏区的第一层绝缘薄膜中形成的一个将所述漏区的鳍的顶部及鳍的两侧暴露出的浮栅开口区域；覆盖所述第一层绝缘薄膜和所述浮栅开口区域形成的一个作为电荷存储节点的具有第一种掺杂类型的浮栅，所述浮栅位于“П”形沟道区与浮栅开口区域之上，用于控制源区和漏区之间的电流；通过所述浮栅开口区域在所述浮栅与所述漏区之间形成的一个p‑n结二极管；覆盖所述浮栅与所述p‑n结二极管并包围所述浮栅形成的第二层绝缘薄膜和控制栅。