发明名称 |
一种Si/NiO:Na异质pn结二极管 |
摘要 |
本发明公开了一种Si/NiO:Na异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Na薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Na薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度,而且其制备方法工艺简单、成本低廉。 |
申请公布号 |
CN104124282A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201310146661.0 |
申请日期 |
2013.04.25 |
申请人 |
天津职业技术师范大学 |
发明人 |
李彤 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种Si/NiO:Na异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,其特征在于:所述pn结是由n型Si衬底上生长NiO:Na薄膜而得到的异质pn结。 |
地址 |
300222 天津市津南区大沽南路1310号天津职业技术师范大学 |