半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备：第3电极，一端位于源极电极（19）侧，另一端位于N型漂移层（10）；以及浮动电极（17），一端位于源极电极（19）侧，另一端位于N型漂移层（10）；其特征在于，设浮动电极（17）与漏极电极（18）间的电容为Cfd、浮动电极（17）与源极电极（19）间的电容为Cfs、漏极电极（18）与源极电极（19）间的电压为Vds、浮动电极（17）的阈值电压为Vth时，漏极电极（18）与源极电极（19）间的电压BV0＝（（Cfs+Cfd）/Cfd）×Vth小于没有浮动电极（17）而全是栅极电极（16）的情况下发生雪崩击穿的耐压BV1，在截止状态时，若向浮动电极（17）施加超过Vth的电压，则在包围浮动电极（17）的第1绝缘膜（14）的侧部形成反转层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层；第1电极，与所述第1半导体层电连接；第2导电型的第2半导体层，设置在与所述第1电极相反的一侧；第2导电型的第3半导体层，与所述第2半导体层相接，选择性地设置在与所述第1半导体层相反的一侧；第1导电型的第4半导体层，与所述第2半导体层相接，选择性地设置在与所述第1半导体层相反的一侧；第2电极，与所述第3及第4半导体层电连接；第3电极，一端位于所述第2电极侧，另一端位于所述第1半导体层；浮动电极，一端位于所述第2电极侧，另一端位于所述第1半导体层；第1绝缘膜，设置在所述第3电极及所述浮动电极的周围；以及第2绝缘膜，与所述第3电极及所述浮动电极相接，设置在与所述第1电极相反的一侧；该半导体装置，在截止状态下向所述第1电极与所述第2电极之间施加了电压时，在包围浮动电极的第1绝缘膜的侧部流动电子电流。