半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种晶体管制造方法，采用了原位刻蚀工艺形成源漏区域凹槽，避免了传统刻蚀方法对衬底晶格的损伤，从而保证了后续外延工艺所形成的源漏区域的质量；同时，由于原位刻蚀工艺与外延工艺同在外延机台内进行，大大压缩源漏区域凹槽的形成工艺与外延工艺之间的等待时间，从而抑制界面氧化层的形成以及凹槽内壁对空气中碳元素的吸附，减少了后续外延的缺陷源，还能够避免常规工艺中为了去除自然氧化层及碳元素而采用的高温过程对衬底中掺杂元素分布的影响。

主权项

一种半导体器件制造方法，其中，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成隔离区域、栅极堆栈；在外延机台内，进行原位刻蚀工艺，形成源漏区域凹槽，之后，在所述源漏区域凹槽中，通过外延工艺形成源漏区域。