| 发明名称 | 用于半导体的粘合剂组合物和包含它的粘合剂膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物和包括它的粘合剂膜。在包括在120℃至130℃的温度下固化1分钟至20分钟的第一阶段，在140℃至150℃的温度下固化1分钟至10分钟的第二阶段，在160℃至180℃的温度下固化30秒至10分钟的第三阶段，和在160℃至180℃的温度下固化10分钟至2小时的第四阶段的固化工艺中，所述粘合剂膜在第一阶段中具有100％单体转化的40％或更少的DSC单体转化，在第四阶段中具有比在第三阶段中的DSC单体转化高30％至60％的DSC单体转化，并且在第二和第三阶段中各自具有比其前一阶段的DSC单体转化高5％或更多的DSC单体转化。 | ||
| 申请公布号 | CN104125994A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201280070440.3 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社 | 发明人 | 李俊雨;金成旻;金仁焕;朴白晟;任首美;崔裁源 |
| 分类号 | C09J7/02(2006.01)I;C09J11/06(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C09J7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王峰;王珍仙 |
| 主权项 | 一种用于半导体的粘合剂膜，其中，包括在120℃至130℃的温度下固化1分钟至20分钟的第一阶段，在140℃至150℃的温度下固化1分钟至10分钟的第二阶段，在160℃至180℃的温度下固化30秒至10分钟的第三阶段，和在160℃至180℃的温度下固化10分钟至2小时的第四阶段的固化工艺中，所述粘合剂膜在所述第一阶段中具有100％单体转化的40％或更少的DSC单体转化，在所述第四阶段中具有比在所述第三阶段中的DSC单体转化高30％至60％的DSC单体转化，并且在所述第二和所述第三阶段中各自具有比其前一阶段的DSC单体转化高5％或更多的DSC单体转化。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||