| 发明名称 | 复合膜层的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复合膜层的刻蚀方法，包括如下步骤：提供沉积有复合膜层的器件，所述复合膜层由第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层依次层叠形成且所述第二多晶硅层与所述器件直接接触；对所述第一多晶硅层进行表面预处理；在所述第一多晶硅层上涂覆光阻，接着对所述第一多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第一多晶硅层进行过刻蚀；对所述二氧化硅层进行主刻蚀，接着对所述二氧化硅层进行过刻蚀；对所述第二多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第二多晶硅层进行过刻蚀。这种复合膜层的刻蚀方法依次对第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层进行刻蚀，一次光刻后进行三次刻蚀，只需要使用一台多晶刻蚀机台，产能较高。 | ||
| 申请公布号 | CN104124134A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310149253.0 | 申请日期 | 2013.04.25 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 章安娜 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种复合膜层的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：提供沉积有复合膜层的器件，所述复合膜层由第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层依次层叠形成且所述第二多晶硅层与所述器件直接接触；对所述第一多晶硅层进行表面预处理；在所述第一多晶硅层上涂覆光阻，接着在第一工艺气体氛围下对所述第一多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第一多晶硅层进行过刻蚀；在第二工艺气体氛围下，对所述二氧化硅层进行主刻蚀，接着对所述二氧化硅层进行过刻蚀；在所述第一工艺气体氛围下，对所述第二多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第二多晶硅层进行过刻蚀。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||