发明名称 |
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法,通过一种化学方法对串联电阻(Rs)偏大晶硅太阳能电池片进行表面处理,降低Rs偏大电池片的正银浆料与硅片的接触电阻,从而使得电池片的串联电阻(Rs)恢复到正常水平,转换效率也恢复正常。 |
申请公布号 |
CN104124305A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201410288195.4 |
申请日期 |
2014.06.25 |
申请人 |
上饶光电高科技有限公司 |
发明人 |
柳杉;黄明;王鹏;黄治国;张伟;杨晓琴;殷建安;梅超 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
杨志宇 |
主权项 |
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法,其特征为:配置0.01‑0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01‑0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液,温度控制在24±6℃,将两种溶液混合,将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中,浸泡时间为2‑5s,将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.5‑2min,取出吹干或烘干。 |
地址 |
334100 江西省上饶市上饶经济开发区旭日片区 |