发明名称 |
回形多叉指场效应晶体管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括:衬底;在衬底上的浅槽隔离区;在衬底上且被STI区包围的有源区;栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线,栅的两端分别过覆盖STI区;以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时,可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目,有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。 |
申请公布号 |
CN104124275A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201410356251.3 |
申请日期 |
2014.07.24 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
黄如;武唯康;安霞;刘静静;陈叶华;张曜;张兴 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
朱红涛 |
主权项 |
一种回形多叉指场效应晶体管,其特征是,所述的回形多叉指场效应晶体管包括:衬底(1),在衬底上的浅槽隔离区STI(5),在衬底上且被STI区包围的有源区(6),栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线,栅的两端分别过覆盖STI区,称为回形栅(7),以及覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |