发明名称 回形多叉指场效应晶体管及其制备方法
摘要 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括:衬底;在衬底上的浅槽隔离区;在衬底上且被STI区包围的有源区;栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线,栅的两端分别过覆盖STI区;以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时,可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目,有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。
申请公布号 CN104124275A 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201410356251.3 申请日期 2014.07.24
申请人 北京大学 发明人 黄如;武唯康;安霞;刘静静;陈叶华;张曜;张兴
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人 朱红涛
主权项 一种回形多叉指场效应晶体管,其特征是,所述的回形多叉指场效应晶体管包括:衬底(1),在衬底上的浅槽隔离区STI(5),在衬底上且被STI区包围的有源区(6),栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线,栅的两端分别过覆盖STI区,称为回形栅(7),以及覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)。
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
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