发明名称 |
多区域气体流量控制装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种多区域气体流量控制装置,应用于半导体设备中,所述半导体设备包括腔体,所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极;所述多区域气体流量控制装置包括:流量控制器、管道、多个输入管,所述流量控制器与所述管道连接,所述管道与多个所述输入管连接,所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极,利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。本实用新型多区域气体流量控制装置有效调整气体分布的均匀性,防止发生上电极下垂的现象,使上下电极的间隙保持一致。 |
申请公布号 |
CN203909634U |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201420324040.7 |
申请日期 |
2014.06.18 |
申请人 |
上海和辉光电有限公司 |
发明人 |
钟尚骅 |
分类号 |
G05D7/06(2006.01)I |
主分类号 |
G05D7/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海唯源专利代理有限公司 31229 |
代理人 |
曾耀先 |
主权项 |
一种多区域气体流量控制装置,应用于半导体设备中,所述半导体设备包括腔体,所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极;其特征在于,所述多区域气体流量控制装置包括:流量控制器、管道、多个输入管,所述流量控制器与所述管道连接,所述管道与多个所述输入管连接,所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极,利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。 |
地址 |
201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |