发明名称 多区域气体流量控制装置
摘要 本实用新型公开了一种多区域气体流量控制装置,应用于半导体设备中,所述半导体设备包括腔体,所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极;所述多区域气体流量控制装置包括:流量控制器、管道、多个输入管,所述流量控制器与所述管道连接,所述管道与多个所述输入管连接,所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极,利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。本实用新型多区域气体流量控制装置有效调整气体分布的均匀性,防止发生上电极下垂的现象,使上下电极的间隙保持一致。
申请公布号 CN203909634U 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201420324040.7 申请日期 2014.06.18
申请人 上海和辉光电有限公司 发明人 钟尚骅
分类号 G05D7/06(2006.01)I 主分类号 G05D7/06(2006.01)I
代理机构 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人 曾耀先
主权项 一种多区域气体流量控制装置,应用于半导体设备中,所述半导体设备包括腔体,所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极;其特征在于,所述多区域气体流量控制装置包括:流量控制器、管道、多个输入管,所述流量控制器与所述管道连接,所述管道与多个所述输入管连接,所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极,利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。
地址 201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室