发明名称 |
用于制造太阳能电池的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法,所述方法能够大大减少在湿蚀刻工艺期间产生的废水的量和改善太阳能电池的效率。根据本发明的方法包括:通过用纹理化装置蚀刻半导体基板表面来进行纹理化,以在一个半导体基板表面上形成不平坦结构;在半导体基板表面的上部形成临时层,以围绕在纹理化期间形成在半导体基板表面的预设区域处的第一副产物层;和使用掺杂装置以预定的掺杂剂掺杂半导体基板表面,以便形成第一半导体层和第二半导体层,第二半导体层设置在第一半导体层上方且具有与第一半导体层不同的极性。第一副产物层和临时层被同时去除。 |
申请公布号 |
CN104126233A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201280062164.6 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
周星工程股份有限公司 |
发明人 |
李相斗;金桢植;安正浩;郑来旭;郑炳旭;陈法锺 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 62002 |
代理人 |
李艳华 |
主权项 |
一种用于制造太阳能电池的方法,所述方法包括下列步骤:在纹理化装置中将半导体基板的表面纹理化,以在所述纹理化装置中蚀刻所述半导体基板的所述表面,且从而在所述基板的所述表面上形成粗糙结构;在所述半导体基板的所述表面上形成临时层,以使所述临时层围绕第一副产物层,所述第一副产物层在纹理化步骤期间形成在所述半导体基板的所述表面上的预设区域中;和在掺杂装置中以掺杂剂掺杂所述半导体基板的所述表面,以形成第一半导体层和第二半导体层,所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上且具有与所述第一半导体层不同的极性,且其中所述第一副产物层和所述临时层被同时去除。 |
地址 |
韩国京畿道 |