单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构及其制造方法，它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述芯片倒装于基岛正面和引脚正面，所述芯片底部与基岛正面和引脚正面之间设置有底部填充胶（14）,所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片的外围均包封有塑封料（4），所述引脚背面的塑封料上开设有小孔（5），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球（7），所述金属球与引脚背面相接触。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

主权项

一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜在金属基板表面镀一层铜材薄膜；步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀铜材薄膜的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤五、电镀惰性金属线路层在步骤四中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上惰性金属线路层；步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的基岛上部和引脚上部；步骤七、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤八、装片及芯片底部填充在步骤六形成的基岛上部和引脚上部倒装芯片及芯片底部填充环氧树脂；步骤九、包封将步骤八中的金属基板正面采用塑封料进行塑封；步骤十、贴光阻膜作业在完成塑封工作的金属基板的正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的区域图形；步骤十二、化学蚀刻将步骤十一中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；步骤十三、电镀金属线路层在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的基岛下部和引脚下部；步骤十四、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十五、包封将步骤十四中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；步骤十六、塑封料表面开孔在金属基板背面预包封塑封料的表面进行需要后续植金属球的区域进行开孔；步骤十七、清洗在金属基板背面塑封料开孔处进行清洗； 步骤十八、植球在金属基板背面塑封体开孔处内植入金属球，使金属球与引脚背面相接触；步骤十九、切割成品将步骤十八完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构。