| 发明名称 | MOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底，形成凹槽；在所述凹槽的靠近栅极结构一侧的侧壁表面形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖沟道区域的两侧；在所述凹槽内形成源极和漏极。所述MOS晶体管的形成方法能够改善晶体管的短沟道效应，提高晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104124167A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310156942.4 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底，形成凹槽；在所述凹槽的靠近栅极结构一侧的侧壁表面形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖沟道区域的两侧；在所述凹槽内形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||