| 发明名称 | 双大马士革结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种双大马士革结构的形成方法，所述双大马士革结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成介质层；在所述介质层内形成通孔；在所述通孔内形成底部抗反射层，所述底部抗反射层填充满所述通孔并覆盖介质层的表面；在所述底部抗反射层表面形成具有开口的掩膜层，所述开口位置位于通孔位置上方，暴露出底部抗反射层的部分表面；去除所述开口下方的位于介质层表面的部分底部抗反射层，暴露出部分介质层的表面以及所述通孔内的底部抗反射层的表面；沿所述开口刻蚀介质层和通孔内的底部抗反射层，形成第一沟槽；去除所述通孔内的剩余底部抗反射层；沿第一沟槽刻蚀介质层，形成第二沟槽。所述方法能够提高所述大马士革结构的内壁平整性。 | ||
| 申请公布号 | CN104124202A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310157829.8 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄瑞轩;王冬江 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种双大马士革结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成介质层；在所述介质层内形成通孔；在所述通孔内形成底部抗反射层，所述底部抗反射层填充满所述通孔并覆盖介质层的表面；在所述底部抗反射层表面形成具有开口的掩膜层，所述开口位置位于通孔位置上方，暴露出底部抗反射层的部分表面；去除所述开口下方的部分底部抗反射层，暴露出部分介质层的表面以及所述通孔内的底部抗反射层的表面；沿所述开口刻蚀介质层和通孔内的底部抗反射层，形成第一沟槽；去除所述通孔内的剩余底部抗反射层；沿第一沟槽刻蚀介质层，形成第二沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||