| 发明名称 | 一种三噻吩并苯基星形含硅聚合物及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及有机半导体材料技术领域，为解决有机半导体材料存在的低溶解性、低电学性能等问题，本发明提出了一种以三噻吩并苯为核心的星形含硅聚合物及其制备方法与应用，本发明引入的三噻吩并苯基有较大的共平面π-共轭结构，有利于扩大电荷离域范围，从而有利于获得较高的电学性能。此外，星型构型的引入也有利于提高化合物的溶解性，从而得到溶解度较高的聚合物。所述的三噻吩并苯基星形含硅聚合物具有如（I）式所示的结构式：<img file="2014102050541100004dest_path_image002.GIF" wi="365" he="392" /> （I）。 | ||
| 申请公布号 | CN104119516A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201410205054.1 | 申请日期 | 2014.05.15 |
| 申请人 | 杭州师范大学 | 发明人 | 高建华;杨成东;王英峰;郝望龙;张海霞;邹素芬;谢辉 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人 | 王江成;朱实 |
| 主权项 | 一种三噻吩并苯基星形含硅聚合物，其特征在于，所述的三噻吩并苯基星形含硅聚合物具有如（I）式所示的结构式：<img file="dest_path_image002.GIF" wi="365" he="396" />（I）。 | ||
| 地址 | 310036 浙江省杭州市下沙经济开发区学林路16号 | ||