| 发明名称 | 金属纳米线、其生产方法、透明导体及触控面板 | ||
| 摘要 | 为了提供具有高电导率和优秀耐热性同时保持优秀的光透射率的金属纳米线、其生产方法、透明电导体以及触控面板。本发明的金属纳米线包括：银；以及除银以外的金属，其中，所述金属纳米线的平均长轴长度为1μm或更大，且所述除银以外的金属比银贵重，并且其中当P（原子%）表示所述金属纳米线中的所述除银以外的金属的量且φ（nm）表示所述金属纳米线的平均短轴长度时，P和φ满足以下表达式1：0.1<P×φ<sup>0.5</sup><30（表达式1），其中，P为0.010原子%至13原子%，φ为5nm至100nm。 | ||
| 申请公布号 | CN102725085B | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201080062429.3 | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 片桐健介;舟洼健 |
| 分类号 | B22F1/00(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;B22F9/24(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)I;H01B5/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | B22F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种金属纳米线，包括：银；以及除银以外的金属；其中，所述金属纳米线的平均长轴长度为1μm或更大，所述除银以外的金属比银贵重，且比银贵重的金属是电离能比银更高的金属，并且其中，当P(原子％)表示所述金属纳米线中的所述除银以外的金属的量且φ(nm)表示所述金属纳米线的平均短轴长度时，P和φ满足以下表达式1：0.1<P×φ<sup>0.5</sup><30 (表达式1)其中，P为0.010原子％至13原子％，φ为5nm至100nm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||